產品描述
產品參數
硅光芯片中硅波導的模場直徑通常遠小于普通單模光纖，如常見的鈮酸鋰和 SOI 芯片的模斑在 3 - 5um@1310，3um 左右 @1550，而普通單模光纖直徑為 9μm，模場轉換 FA 可將標準 SM 或 PM 光纖尾纖通過拼接一小段超高數值孔徑單模光纖（UHNA），實現與硅光芯片的低損耗耦合，是高速硅光子收發器模塊上連接的理想方案。產品應用：硅光調制解調器、相干光模塊。
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低插損：
通過特殊熔接放電擴束處理，MFD9.0um轉MFD3.2um熔接點損耗＜0.10dB，典型值0.07dB。能實現不同模場直徑光纖間的高效耦合，將光信號在模場轉換過程中的損耗降到最低。
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模場轉換定制化：
可根據客戶需求提供定制化的模場直徑轉換，如MFD:9μm 轉換到3.2μm/3.5μm/4μm/6.0μm 等，以適應不同的光器件和應用場景。
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小體積高精度：
提供高精度定制化產品結構，以2ch FA為例： Core Pitch：250um±0.3um，FA length：3.2±0.1mm、FA width：1.0±0.02mm、FA thickness：±0.05mm。
硅光芯片中硅波導的模場直徑通常遠小于普通單模光纖，如常見的鈮酸鋰和 SOI 芯片的模斑在 3 - 5um@1310，3um 左右 @1550，而普通單模光纖直徑為 9μm，模場轉換 FA 可將標準 SM 或 PM 光纖尾纖通過拼接一小段超高數值孔徑單模光纖（UHNA），實現與硅光芯片的低損耗耦合，是高速硅光子收發器模塊上連接的理想方案。
硅光芯片中硅波導的模場直徑通常遠小于普通單模光纖，如常見的鈮酸鋰和 SOI 芯片的模斑在 3 - 5um@1310，3um 左右 @1550，而普通單模光纖直徑為 9μm，模場轉換 FA 可將標準 SM 或 PM 光纖尾纖通過拼接一小段超高數值孔徑單模光纖（UHNA），實現與硅光芯片的低損耗耦合，是高速硅光子收發器模塊上連接的理想方案。產品應用：硅光調制解調器、相干光模塊。
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低插損：
通過特殊熔接放電擴束處理，MFD9.0um轉MFD3.2um熔接點損耗＜0.10dB，典型值0.07dB。能實現不同模場直徑光纖間的高效耦合，將光信號在模場轉換過程中的損耗降到最低。
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模場轉換定制化：
可根據客戶需求提供定制化的模場直徑轉換，如MFD:9μm 轉換到3.2μm/3.5μm/4μm/6.0μm 等，以適應不同的光器件和應用場景。
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小體積高精度：
提供高精度定制化產品結構，以2ch FA為例： Core Pitch：250um±0.3um，FA length：3.2±0.1mm、FA width：1.0±0.02mm、FA thickness：±0.05mm。
地點：深圳市龍華新區大浪南路德利威工業園
電話：+86-755-29048607/85250091/32939610/32939620
傳真：+86-755-29048607
郵箱：sales@opticres.com
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